三極體的放大原理

　　1、三極體放大電路基本原理，這是一個關於三極體電路原理的說明檔案。三極體是電流放大器件，有三個極，分別叫做集電極C，基極B，發射極E。分成NPN和PNP兩種。以NPN三極體的共發射極放大電路為例來說明三極體放大電路的基本原理。

　　2、對於PNP型三極體，分析方法類似，不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反，因此發射極上面那個箭頭方向也反了過來——變成朝裡的了。

　　晶體三極體的電流放大原理如下：

　　1、發射區向基區擴散電子，由於發射結處於正向偏置，發射區的多數載流子自由電子不斷擴散到基區，並不斷從電源補充進電子，形成發射極電流。

　　2、電子在基區擴散和複合，由於基區很薄，其多數載流子空穴濃度很低，所以從發射極擴散過來的電子只有很少部分可以和基區空穴複合，形成比較小的基極電流，而剩下的絕大部分電子都能擴散到集電結邊緣。

　　3、集電區收集從發射區擴散過來的電子，由於集電結反向偏置，內部形成了較大的內電場，在電場力作用下可將從發射區擴散到基區併到達集電區邊緣的電子拉入集電區，從而形成較大的集電極電流。

　　三極體放大原理：

　　電晶體的電流放大作用實質上是電流控制作用，是用一個較小的基極電流去控制一個較大的集電極電流，這個較大的集電極電流是由直流電源EC提供的，並不是電晶體本身把一個小的電流放大成了一個大的電流，這一點須用能量守恆的觀點去分析。

　　電晶體是一種電流控制元件，是為了分析電晶體內部載流子運動與分配情況，即電晶體的電流放大作用。

　　發射區向基區發射電子，於發射結處於正向偏置，多數載流子的擴散運動加強，發射區的多數載流子向基區擴散，同樣，基區的多數載流子也向發射區發