單向可控矽如何測量好壞

　　單向可控矽測量好壞方法：用萬用表測可控矽的好壞。

　　做法：用電阻“x1k”檔，正、反向測量“A”、“K”之間的電阻值，均接近無窮大；用電阻"x10Ω檔測量"G、"K之間的電阻，從十幾歐姆至百歐姆，功率越大歐姆值越小。

　　結論：正、反向電阻值相等或差異極小時。說明可控矽的“G”、“K”並不像一般三極體的發射結，有明顯的正、反向電阻的差異。

　　可以用萬用表測量三個極之間的電阻值來測量可控矽的質量。

　　陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，它們之間有兩個PN接面，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通。

　　控制極與陰極之間是一個PN接面，因此它的正向電阻大約在幾歐至幾百歐的範圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流透過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R10或R1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

　　若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

　　1、如果壞的話最常見的也是擊穿損壞，你可以用萬用表測量一下晶片的供電端對地的電阻或電壓，一般如果在幾十歐姆之內或供電電壓比正常值低，大部分可以視為擊穿損壞了，可以斷開供電端，單獨測量一下供電是否正常。如果測得的電阻較大，那很可能是其他埠損壞，也可以逐一測量一下其他埠。看是否有對地短路的埠。

　　2、專門具有檢測IC的儀器，萬用表沒有這個能力。一般使用萬用表都是檢測使用時的引腳電壓做大約的判斷，沒有可靠性。並且是在對於這款IC極其熟悉條件下做判斷。