場效電晶體源極跟隨器的特點是什麼

　　特點：源極跟隨器的輸出阻抗非常低，特別適合於電動機、揚聲器等重負載的驅動，同時MOSFET普遍功率比較大，具有很好的抗熱擊穿效能。

　　場效應電晶體簡稱場效電晶體。主要有兩種型別和金氧半導體場效電晶體。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體，它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。

　　場效電晶體是透過加在柵極和源極之間的電壓UGS，來控制漏極電流ID，這種控制關係可以表示為：ID=gm*UGS,gm稱為跨導，單位為西門子。因此場效電晶體被稱為電壓控制型器件。對應於三極管的電流控制關係IC=β*IB,三極體常稱為電流控制型器件。場效電晶體是電壓控制器件，也叫單極性電晶體，參加工作只有多數載流子的電子；而三極體是電流控制器件，也叫雙極性電晶體，電子和空穴都參加工作。所以控制漏極電流只需對G極的電壓加以控制就行。

　　5N60C是N溝道MOS場效電晶體，漏極電流為4、5A，脈衝電流允許18A，D-S耐壓600V。功耗:33W，工作溫度範圍:-55°C to +150°C，封裝型別:TO-220F，功率，Pd:33W，封裝型別:TO-220F，常用於開關電源中作開關管。