可以用萬用表測量三個極之間的電阻值來測量可控矽的質量。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，它們之間有兩個PN接面，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通。
控制極與陰極之間是一個PN接面，因此它的正向電阻大約在幾歐至幾百歐的範圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流透過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R10或R1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
萬用表檢測記憶體好壞方法，主機板到記憶體的資料引腳一般為了保護記憶體的資料腳，在每個資料腳都加有一個阻值不大的電阻，起限流作用，阻值一般在10歐左右。
測試的原理是檢測記憶體晶片的每個資料腳，地址腳，時鐘腳是否有短路、斷路不良等現象用萬用表的二極體擋，紅表筆接地，黑表筆測量各排阻的阻值，也就是記憶體晶片的資料腳的阻值，一般每個腳的阻值相差不大，要是相差很大，肯定晶片有問題，在仔細檢測是哪個晶片的問題更換後一般就好了，用此種方法也可以檢測記憶體晶片的好壞。
可控矽國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱閘流體。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優點。測量可控矽的耐壓值方法為：萬用表選電阻R擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指標應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指標應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右，說明該可控矽完好。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指標發生偏轉，說明該可控矽已擊穿損壞
測量熱敏電阻好壞的方法如下：
1、測量常溫時的電阻值，將萬用表置於合適的歐姆擋，使用兩隻表筆分別接觸熱敏電阻的兩個引腳測出實際阻值，並與標稱阻值相比較，如果二者相差過大，則說明所測熱敏電阻效能不良或已損壞。
2、測量溫度變化時的電阻值。在常溫測試正常的基礎上，即可進行升溫或降溫檢測。
3、用手 ...
測量繼電器好壞方法如下：
1、給繼電器接上線圈額定電流，如果能吸合說明是好的，不能吸合則是壞的；
1、在吸合的同時在用萬表測量常開觸頭，此時常開觸頭能導通，說明常開觸頭正常，不能導通說明觸頭不正常；
3、先斷開線圈電壓，繼電器如果有常閉觸頭，用萬用表測量如果是導通的，說明這個交流器也是正常的， ...
用數字萬用表測量電容：
1、將電容兩端短接，對電容進行放電，確保數字萬用表的安全。
2、將功能旋轉開關打至電容測量檔，並選擇合適的量程。
3、將電容插入萬用表插孔。
4、讀出顯示屏上數字。
一般測量可以用以下方法：
用指標表的歐姆檔測量，電容容量越小則用越高的檔，用表筆接觸電容的兩 ...
可用數字萬用表測試電容好壞，步驟如下：
1、判斷極性，先把萬用表調到100或1K歐姆檔，假定一極為正極，讓黑表筆與它連線，紅表筆與另一極連線，記下阻值，然後把電容放電，即讓兩極接觸，然後換表筆測電阻，阻值大的一次黑表筆連線的就是電容的正極；
2、把萬用表調到歐姆檔適當檔位，檔位選擇的原則是：1微法 ...
單向可控矽測量好壞方法：用萬用表測可控矽的好壞。
做法：用電阻“x1k”檔，正、反向測量“A”、“K”之間的電阻值，均接近無窮大；用電阻"x10Ω檔測量"G、"K之間的電阻，從十幾歐姆至百歐姆，功率越大歐姆值越小。
結論：正、反向電阻值相等或差異極小時。說明可控矽的“G”、 ...
凸輪軸位置感測器的檢測方法如下：
1、拔出插頭，鑰匙開啟兩擋用電壓表測量確定電源線有電壓輸出；
2、用萬用表確定搭鐵線，用電壓擋一根表棒與確定好的電源線相連，另一根表棒與其它兩根線相連測量出有電壓的就是搭鐵線，餘下的就是訊號線了；
3、此時關閉鑰匙引出訊號線，插回插頭啟動發動機，測量訊號線與搭 ...
1、如果壞的話最常見的也是擊穿損壞，你可以用萬用表測量一下晶片的供電端對地的電阻或電壓，一般如果在幾十歐姆之內或供電電壓比正常值低，大部分可以視為擊穿損壞了，可以斷開供電端，單獨測量一下供電是否正常。如果測得的電阻較大，那很可能是其他埠損壞，也可以逐一測量一下其他埠。看是否有對地短路的埠。
2、專門具 ...