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簡述一下PN接面的特性是什麼

簡述一下PN接面的特性是什麼

  1、正向導通,反向截止。當正向電壓達到一定值左右,電流隨電壓成指數變化。與電阻相比它是具有非線性特性的,因此它的特性曲線一般是非線性的。

  2、有兩種載流子,即電子和空穴。

  3、受溫度影響比較大,因為溫度變化影響載流子的運動速度以及本徵激發的程度,因此設計或者運用時需要考慮溫度問題。

簡述PN接面形成

  在一塊單晶半導體中,一部分摻有受主雜質是 P型半導體,另一部分摻有施主雜質是N型半導體時,P型半導體和 N型半導體的交介面附近的過渡區稱為PN接面。PN接面有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的PN接面叫同質結,由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的PN接面叫異質結。製造PN接面的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。

  主要應用:根據PN接面的材料、摻雜分佈、 幾何結構和偏置條件的不同,利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN接面單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體;利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體;利用高摻雜PN接面隧道效應制作隧道二極體;利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與PN接面相結合還可以製作多種光電器件。

在現在的電腦晶片上電感電容還有各種非線性元件都是用PN接面做的嗎

  不全是,電感電容不是用pn結做的,金屬間電容精度比較高,一般在數百fF到數十pF,內部結構不是pn結,MOS管的柵電容電容大但精度差,一般晶片內部空餘的地方都會填滿MOS電容用於電源退耦,但與片外退耦電容相比還是小的可憐。

  diode和BJT是用PN接面做的;MOS管透過形成反型層導電,不過MOS管與矽襯底之間的隔離使用反偏PN接面實現的。


什麼是PN

  PN接面。採用不同的摻雜工藝,透過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是矽或鍺)基片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱PN接面。PN接面具有單向導電性。P是positive的縮寫,N是negative的縮寫,表明正荷子與負荷子起作用的特點。一塊單晶半導體中 ,一部分摻有受主雜質是P ...

PN為什麼具有電容效應

  PN接面產生電容效應的原因:PN接面的電容效應限制了二極體三極體的最高工作效率,PN接面的電容效應將導致反向時交流訊號可以部分透過PN接面,頻率越高則透過越多。二極體,三極體反向的時候,PN接面兩邊的N區和P區仍然是導電的,這樣兩個導電區就成了電容的兩個電極。從而構成PN接面的電容效應。   為了減小這個 ...

在二極體中有幾個PN

  在二極體中有1個PN接面。是由一個PN接面加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。採用不同的摻雜工藝,透過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是矽或鍺)基片上,在交介面就形成空間電荷區稱為PN接面。   二極體的主要原理就是利用PN接面的單向導電性,在PN接面上加上引線和封裝就成了一個二 ...

銅排與銅排搭間隙的要求

  使用塞尺檢查,間隙不大於一百二十五分之一毫米,最主要的要求,就是接觸緊密。   為了實現這個要求,以下幾點是必須遵守的:   1、搭接長度必須等於一個短邊長度;   2、衝孔直徑與緊固螺栓實現一級緊密配合,不允許電焊、氣焊開孔,不允許開橢圓孔;   3、搭接面必須採用同材質,即銅與銅鍍錫搭接、銅鍍錫與鋁材 ...

簡述金屬的光吸收特性

  1、光的吸收是指原子在光照下,會吸收光子的能量由低能態躍遷到高能態的現象。   2、從實驗上研究光的吸收,通常用一束平行光照射在物質上,測量光強隨穿透距離衰減的規律。   3、光吸收是光(電磁輻射)透過材料時,與材料發生相互作用,電磁輻射能量被部分地轉化為其他能量形式的物理過程。   4、當被吸收的光能量 ...

簡述一下夏商時期的樂器和樂律

  夏商音樂的研究物件是樂器和樂舞,樂舞有《大夏》,《候人兮猗》,《大濩》,《桑林》等樂器有銅鈴,陶壎,石磬,編磬,虎紋特磬,五音孔壎,排簫。夏商時代還沒有樂律,我國最早的樂律為三分損益法,出現在春秋時期。 ...

簡述一下排球邊跟進

  邊跟進防守,是排球運動防守陣形之一。當對方進攻時,由前排組成雙人攔網,另一不攔網的前排隊員後撤,協同後排3人組織防守。如遇對方吊球,由後排兩側1號或5號位隊員跟進,6號位隊員即向跟進隊員原防區補位。這一防守安排,稱為“邊跟進防守”。由於後區3人防守佈局宛如馬蹄形,故又稱“馬蹄形防守”。一般在對方扣球威脅大 ...