說明PN接面的單向導電原理

　　當PN接面加上正向電壓時，P區的空穴與N區的電子在正向電壓所建立的電場下相互吸引產生複合現象，導致阻擋層變薄，正向電流隨電壓的增長按指數規律增長，宏觀上呈現導通狀態，而加上反向電壓時，情況與前述正好相反，阻擋層變厚，電流幾乎完全為零，宏觀上呈現截止狀態。這就是PN接面的單向導電特性。

　　不全是，電感電容不是用pn結做的，金屬間電容精度比較高，一般在數百fF到數十pF，內部結構不是pn結，MOS管的柵電容電容大但精度差，一般晶片內部空餘的地方都會填滿MOS電容用於電源退耦，但與片外退耦電容相比還是小的可憐。

　　diode和BJT是用PN接面做的；MOS管透過形成反型層導電，不過MOS管與矽襯底之間的隔離使用反偏PN接面實現的。

　　在一塊單晶半導體中，一部分摻有受主雜質是 P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時，P型半導體和 N型半導體的交介面附近的過渡區稱為PN接面。PN接面有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的PN接面叫同質結，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的PN接面叫異質結。製造PN接面的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。

　　主要應用：根據PN接面的材料、摻雜分佈、 幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN接面單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體；利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN接面隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與PN接面相結合還可以製作多種光電器件。