電晶體放大原理的應用

　　應用：最典型的就是揚聲器。

　　放大電路不能產生或者放大能量，而是把一個訊號不失真地放大它的幅度。不失真，頻度不能變，但是相位可以變，甚至可以引入直流分量都可以。

　　電晶體主要分為三個區域:發射區、集電區、基區。

　　發射區的特點是：參雜濃度高，面積小。

　　集電區的特點是：參雜濃度低，面積大。

　　基區的特點是：參雜濃度低，面積薄。

　　晶體三極體的電流放大原理如下：

　　1、發射區向基區擴散電子，由於發射結處於正向偏置，發射區的多數載流子自由電子不斷擴散到基區，並不斷從電源補充進電子，形成發射極電流。

　　2、電子在基區擴散和複合，由於基區很薄，其多數載流子空穴濃度很低，所以從發射極擴散過來的電子只有很少部分可以和基區空穴複合，形成比較小的基極電流，而剩下的絕大部分電子都能擴散到集電結邊緣。

　　3、集電區收集從發射區擴散過來的電子，由於集電結反向偏置，內部形成了較大的內電場，在電場力作用下可將從發射區擴散到基區併到達集電區邊緣的電子拉入集電區，從而形成較大的集電極電流。

　　1、場效電晶體工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

　　2、在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子透過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。