霍爾電勢與什麼成反比

　　霍爾電勢與霍爾器件長度成反比。霍爾效應和霍爾功率感測器的基本原理霍爾效應指在磁場中的導體或半導體當有電流透過時其橫向不僅受到力的作用同時還產生電壓該電壓稱為霍爾電勢。

　　利用霍爾效應的固態電子器件。E.H.霍爾於1879年發現：一塊矩形導體或半導體材料在磁感應強度為Bz的磁場中，在垂直於磁場的方向有電流Ix透過試件，在既垂直於磁場Bz、又垂直於電流Ix的方向將產生電場Ey，這就是霍爾效應。

　　從電極電勢的數值來看，當氧化劑電對的電勢大於還原劑電對的電勢時，反應才可以進行，反應以“高電勢的氧化型氧化低電勢的還原型”的方向進行，在判斷氧化還原反應能否自發進行時，通常指的是正向反應。

　　通常條件下，氧化還原反應總是由較強的氧化劑與還原劑向著生成較弱的氧化劑和還原劑方向進行。

　　霍爾電壓和電流大小成正比。霍爾效應是電磁效應的一種。當電流垂直於外磁場透過半導體時，載流子發生偏轉，垂直於電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在半導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應，這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。而產生的內建電壓稱為霍爾電壓。

　　在半導體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得半導體中的電子與空穴受到不同方向的洛倫茲力而在不同方向上聚集，在聚集起來的電子與空穴之間會產生電場，電場力與洛倫茲力產生平衡之後，不再聚集，此時電場將會使後來的電子和空穴受到電場力的作用而平衡掉磁場對其產生的洛倫茲力，使得後來的電子和空穴能順利透過不會偏移，這個現象稱為霍爾效應。