什麼是場效電晶體

　　5N60C是N溝道MOS場效電晶體，漏極電流為4、5A，脈衝電流允許18A，D-S耐壓600V。功耗:33W，工作溫度範圍:-55°C to +150°C，封裝型別:TO-220F，功率，Pd:33W，封裝型別:TO-220F，常用於開關電源中作開關管。

　　用萬用表檢測場效電晶體的好壞。

　　將指標式萬用表撥至“RX1K”檔，並電調零。場效電晶體帶字的一面朝著自己，從左到右依次為：G，D，S。將黑表筆接在D極，紅表筆接在S極上，此時，萬用表指標應不動；然後再對換表筆，再測，此時，萬用表指標應向右擺動。用指標萬用表測，G極，與其餘兩個極之間，無論是兩個表筆怎樣對調測，萬用表指標均應不動。說明場效電晶體完好。

　　1、場效電晶體工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

　　2、在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子透過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。