5N60C是N溝道MOS場效電晶體，漏極電流為4、5A，脈衝電流允許18A，D-S耐壓600V。功耗:33W，工作溫度範圍:-55°C to +150°C，封裝型別:TO-220F，功率，Pd:33W，封裝型別:TO-220F，常用於開關電源中作開關管。
用萬用表檢測場效電晶體的好壞。
將指標式萬用表撥至“RX1K”檔，並電調零。場效電晶體帶字的一面朝著自己，從左到右依次為：G，D，S。將黑表筆接在D極，紅表筆接在S極上，此時，萬用表指標應不動；然後再對換表筆，再測，此時，萬用表指標應向右擺動。用指標萬用表測，G極，與其餘兩個極之間，無論是兩個表筆怎樣對調測，萬用表指標均應不動。說明場效電晶體完好。
1、場效電晶體工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所 ...
場效電晶體的雪崩電流是指功率MOS管開通時，造成功率MOSFET損壞的電流
場效應電晶體(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效電晶體。主要有兩種型別(junctionFET-JFET)和金屬-氧化物半導體場效電晶體(metal-oxidesemiconductorFET， ...
在主機板上，場效電晶體的代換規則是:
1、場效電晶體的代換隻需大小相同，分清N溝道和P溝道即可。
2、場效電晶體的代換中，功率大的場效電晶體可以代換功率小的場效電晶體。
3、場效電晶體的代換中，技嘉主機板的場管最好原值代換。 ...
場效電晶體的截止條件：Ugs必須小於開啟所需電壓。
場效電晶體是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，僅靠半導體中的多數載流子導電。屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。 ...
1、場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效電晶體可以用作可變電阻。
4、場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5、場效電晶體可以用 ...
注意事項：
為了安全地使用場效電晶體，線上路的設計中不能超過管的耗散功率。各型別場效電晶體在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效電晶體偏置的極性。MOS場效電晶體由於輸人阻抗極高，所以，在運輸、貯藏中必須將引出腳短路。為了防止場效電晶體柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路 ...
場效應電晶體：簡稱場效電晶體。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電 ...