氮化鎵是什麼

　　華為65W氮化鎵充電器在2020年4月8日上市，此充電器支援Type-A和Type-C雙口充電，能給手機、平臺和PC充電。

　　氮化鎵是第三代半導體材料之一，具有超強的導熱效率、耐高溫和耐酸鹼等優點，用在充電器中更是具有高效率低發熱、高功率小體積等優點，充電功率轉換也比傳統充電器更具優勢。此次華為釋出氮化鎵充電器，意味著國內排名靠前的手機廠商均已涉足氮化鎵充電器領域，側面說明產業界對氮化鎵市場前景的一致看好，第三代半導體材料值得重點關注。

　　相較於第一代半導體材料（矽、鍺）和第二代半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代半導體材料（包括氮化鎵、碳化矽、氧化鋅等）能夠承受更高的電壓、適合更高頻率，在高頻、高功率的電力電子、微波射頻等領域具有廣泛的應用前景。隨著5G時代的來臨，第三代半導體材料有望憑藉其效能優勢迎來快速發展期。

　　1、目前有兩家上市公司包含氮化鎵概念，具體如下。

　　2、海陸重工(3.72 -1.06%,診股)：旗下江蘇能華微電子(6.02 -1.95%,診股)科技發展有限公司專業研發、生產以氮化鎵(GaN)為代表的複合半導體高效能晶圓，並用其做成的功率器件。

　　3、海特高新(11.55 -0.86%,診股)：已具備氮化鎵晶圓製造能力，並向客戶提供服務。

　　氮化鎵不是合金。合金是單質的混合物，而氮化鎵是化合物，不屬於合金。

　　氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的鐳射二極體，可以在不使用非線性半導體泵浦固體鐳射器的條件下，產生紫光鐳射。

　　氮化鎵：

　　2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學聖塔芭芭拉分校教授中村修二因發明藍光LED而獲的當年的諾貝爾物理獎。

　　氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，並與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之後的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。