光刻機（MaskAligner)又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫MaskAlignmentSystem。
低奈米光刻機，是解析度較高，精確到奈米的光刻機。
2018年11月29日，國家重大科研裝備研製專案“超分辨光刻裝備研製”透過驗收。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研製，光刻分辨力達到22奈米，結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10奈米級別的晶片。
光刻機（MaskAligner)又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫MaskAlignmentSystem。
低奈米光刻機，是解析度較高，精確到奈米的光刻機。
2018年11月29日，國家重大科研裝備研製專案“超分辨光刻裝備研製”透過驗收。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研製，光刻分辨力達到22奈米，結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10奈米級別的晶片。
佳能光刻機22奈米，光刻機是製造微機電、光電、二極體大規模積體電路的關鍵裝置。光刻機可以分鐘兩種，分別是模板和圖樣大小一致的contactaligner，曝光時模板緊貼晶片；第二是類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。
國內目前做光刻機的主要有上海微電子裝備有限公司、中子科技集團公司第四十五研究所國電、合肥芯碩半導體有限公司、先騰光電科技、無錫影速半導體科技。其中，上海微電子裝備有限公司已經量產的是90奈米，這是在中國最領先的技術。其國家科技重大專項“極大規模積體電路製造裝備與成套工藝專項“的65nm光刻機研製，目前正在進行整機考核。對於光刻機技術來說，90奈米是一個技術臺階；45奈米是一個技術臺階；22奈米是一個技術臺階……90奈米的技術升級到65奈米不難，但是45奈米要比65奈米難多了。路要一步一步走，中國16個重大專項中的02專項提出光刻機到2020年出22奈米的。目前主流的是45奈米，而32奈米和28奈米的都需要深紫外光刻機上面改進升級。
1、強大的研發投入：光刻機是一個高精尖的技術，其技術難度是全球公認的，如果沒有持續強大的研發投入根本不可能到技術領先。ASML從成立至今，對於研發的投入都非常大，比如2019年ASML的銷售額大概是21億歐元，而研發費用支出就達到了4.8億歐元，研發費用佔營收的比例達到22.8%，這個比例是非常高的，正因為有大量資金的投入，所以ASML在關鍵技術領域一直處於領先地位。
2、美國以及歐盟的支援：雖然ASML是一家荷蘭公司，但他背後卻有著歐盟以及美國的力量，多關鍵技術都由美國以及歐盟國家提供。比如德國先進的機械工藝以及世界級的蔡司鏡頭，再加上美國提供的光源，這就使得ASML公司在光科技術方面飛速發展，幾乎到達了無人能敵的境地。
3、準確抓住了技術轉折點：目前世界最頂尖的光刻機有三個廠家，分別是ASML，尼康和佳能。2007年之前這三大廠家其實並沒有太大的差距，競爭的轉折點是出現在2007年。2007年ASML配合臺積電的技術方向，推出了193奈米的光源浸沒式系統，在光學鏡頭和矽晶圓片匯入液體作為介質，在原有光源與鏡頭的條件下，能顯著提升蝕刻精度，併成為高階科技的主流技術方案。而當時日本的尼康與佳能卻主推157奈米光源的乾式光刻，這個路線後來被市場所放棄，也成為尼康跟佳能邁入衰退的一個轉折點，後來才有了ASML的壟斷。