1、霍爾電動勢產生的原理是當一塊半導體薄片置於磁場中有電流流過時,電子將受到洛倫茲力的作用而發生偏轉,在半導體薄片的另外兩端將產生霍爾電動勢。
2、由霍爾效應的原理知,霍爾電勢的大小取決於:Rh為霍爾常數,它與半導體材質有關,IC為霍爾元件的偏置電流,B為磁場強度,d為半導體材料的厚度。對於一個給定的霍爾器件,Vh將完全取決於被測的磁場強度B。
3、一個霍爾元件一般有四個引出端子,其中兩根是霍爾元件的偏置電流IC的輸入端,另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構成外迴路,就會產生霍爾電流。
1、霍爾電動勢產生的原理是當一塊半導體薄片置於磁場中有電流流過時,電子將受到洛倫茲力的作用而發生偏轉,在半導體薄片的另外兩端將產生霍爾電動勢。
2、由霍爾效應的原理知,霍爾電勢的大小取決於:Rh為霍爾常數,它與半導體材質有關,IC為霍爾元件的偏置電流,B為磁場強度,d為半導體材料的厚度。對於一個給定的霍爾器件,Vh將完全取決於被測的磁場強度B。
3、一個霍爾元件一般有四個引出端子,其中兩根是霍爾元件的偏置電流IC的輸入端,另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構成外迴路,就會產生霍爾電流。
測量霍爾電壓的原理公式:fe=S+v2。霍爾效應是電磁效應的一種,這一現象是美國物理學家霍爾(E.H.Hall,1855—1938)於1879年在研究金屬的導電機制時發現的。
電磁,物理概念之一,是物質所表現的電性和磁性的統稱。如電磁感應、電磁波等等。電磁是丹麥科學家奧斯特發現的。電磁現象產生的原因在於電荷運動產生波動,形成磁場,因此所有的電磁現象都離不開電場。電磁學是研究電場和磁場的相互作用現象,及其規律和應用的物理學分支學科。
霍爾元件是應用霍爾效應的半導體。一般用於電機中測定轉子轉速,是一種基於霍爾效應的磁感測器。
霍爾效應是指通電導體在垂直於外加磁場的作用下,可在垂直於電流方向及磁場方向的方向上產生電勢差。電勢差的大小與外加磁場的磁感應強度及導體內流過的電流成正比。